型号:

NTJD3158CT2G

RoHS:无铅 / 符合
制造商:ON Semiconductor描述:MOSFET COMP N/P 20V SC88-6
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
NTJD3158CT2G PDF
产品变化通告 Product Obsolescence 14/Apr/2010
标准包装 3,000
系列 -
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 630mA,820mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 375 毫欧 @ 630mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 46pF @ 20V
功率 - 最大 270mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装 SC-88
包装 带卷 (TR)
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